PECVD

設備特性
1. 成熟的高產能製程、雙模式溫控技術與矽晶圓薄膜鈍化技術;快速自適應閉迴路壓力控制技術、電漿放電場偵測技術,以及晶圓上下料舟防碰撞技術 2. 石墨舟電極技術:正面電極表面接觸、電極塊可定期更換與清潔、尾端電極可於爐管外調整、放大電極尺寸並優化電極材料,有效解決高頻警報問題 3. 快速冷卻爐體:最新專利技術可將爐體溫度快速降至目標值,冷卻速率提升 25% 以上,並大幅改善爐管內的溫度均勻性 4. 舟儲存站專利平行散熱:提升冷卻效率,冷卻時間縮短 15% 以上;正面進風可改善操作台內部潔淨度 5. 整合式工業電腦與模組化製程控制軟體 6. 完善的斷電安全保護與法蘭冷卻水故障保護

應用領域

在矽晶圓表面沉積一層厚度 75‑140 nm 的抗反射氮化矽(SiₓNᵧ)薄膜。同時,沉積過程中產生的氫原子與氫自由基可為矽晶圓提供表面與體內的鈍化效果。此鍍膜可降低光學反射並延長晶圓的少數載子壽命,進而提升結晶矽太陽能電池的轉換效率。此製程主要用於 PERC 與 TOPCon 電池的正面與背面氮化矽薄膜沉積。
TOPCon電池製程
技術資料表

機型

PECVD

沉積薄膜種類

AlO,SiO,SiON,SiN,SiC

批次裝載量

768pcs/批(182mm)、616pcs/批(210mm)、500pcs/批(230mm)

氧化鋁薄膜厚度均勻性

片內≤6% 片間≤6% 批間≤5%(182mm 晶圓)

氧化鋁折射率

1.65(±0.05)

設備可用率

≥98%

工作溫度範圍

100~600℃

溫度控制

9 點溫控,內/外雙模式控制

加熱方式

自動升溫,具快速恆溫功能

冷卻方式

最新專利技術,9 區分段主動冷卻爐體

恆溫區精度與長度

±2°C/3200mm(500°C)

單點溫度穩定性

<±1°C/4h(500°C)

升溫時間

RT→450℃≤45min

溫度控制

雙模式精密控制

系統極限真空

<3Pa

系統漏率

停泵關閥後壓升率<1Pa/min

壓力控制方式

快速調整全自動閉迴路

製程控制方式

全自動製程控制,具多重安全聯鎖警報

人機介面

LCD 顯示、觸控操作、配方編輯、線上監控、權限管理、班別管理、聯網功能

MES/CCRM

支援

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