隨著超大規模集成電路製造技術、新型薄膜電晶體顯示技術和大面積OLED顯示技術的日益成熟和規模化，雷射退火科技逐漸取代傳統的爐管退火、快速熱退火、尖峰退火、快閃退火，成為新一代主流退火科技。

雷射退火科技開始主要用於修復離子注入損傷的半導體材料，特別是矽.傳統的加熱退火科技是把整個工件放在真空爐中，在一定的溫度（300°；～1200℃）保溫退火10～60min

雷射退火科技在集成電路裡邊的應用，主要在如下三個方面：（1）給半導體器件的電極（源、漏、柵極）退火，金屬化形成歐姆接觸； （2）給集成電路內部的連接退火； （3）給3D的結構做退火，如記憶體、NEMS等的退火。 功率器件如MOSFET、IGBT等存在垂直的結構，在工作的過程中有垂直方向的電流，背面電極被用來作為歐姆接觸或者發射極。 這個背面電極可以方便使用雷射退火科技獲得。 IGBT集電極結構包括兩個摻雜區域：P型的表面集電極、掩埋N型場截止層，